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菠菜大平台有哪些2020欧洲杯预选赛分组 赛程_《Adv Mater》：效果>23%！3000小时恰当运行的钙钛矿太阳能电板
在对界面材料、钙钛矿因素和器件结构进行了多量优化之后，单结钙钛矿太阳能电板 (PSC) 的功率辗转效果 (PCE) 已朝上 25%。在单片硅基串联太阳能电板中，带隙可调的钙钛矿半导体也竣事了大于 30% 的高效果。为了提升掺杂效果，东说念主们进行了各式尝试，通过合理贪图取代的离子掺杂剂，如金属盐、摆脱基阳离子和路易斯酸。然则，这些添加剂仍然会对薄膜的恰当性产生不利影响，其在 PSC 中的性能仍然逾期于 LiTFSI。为了幸免掺杂有机薄膜中出现相差异花式，掺杂先行者体中应严格撤消离子和蒸发性物资，以竣事令东说念主称心的组分相容性，而分子掺杂不错竣事这极少。领先，撤消离子掺杂成心于放松迁徙引起的结构变形，扼制 HTL 的电性能退化。其次，分子搀和物中因素的高度均匀性成心于器件中的电荷传输和收罗。第三，有机材料的疏水性成心于扎眼水分插足，从而提升 HTL 隔断保护的灵验性。在以往的盘问中，东说念主们在真空和溶液处置 HTL 中探索了各式基于四氰基二甲烷（TCNQ）养殖物的分子掺杂剂，如 F4TCNQ、F6TCNQ等。然则，这些掺杂剂大多败露出访佛的局限性博彩平台app，即器件效果较低（<20%），这是为取得器件寿命而作念出的衡量。天然还是建设出一些用于 PSC 的无掺杂 HTM，但它们大多遭受材料资本高或器件性能不睬念念的问题。因此，紧迫需要从根蒂上了解分子掺杂的机理，并优化掺杂配置，以取得高效恰当的 HTL。
来自厦门大学的学者计策性地引入了一种简便灵验的分子植入赞助序贯掺杂（MISD）举止，以调度有机薄膜的空间掺杂均匀性，并制造出全蒸发的斯派罗-OMeTAD 层，从而竣事无相差异的 HTL，同期具有高分子密度、均匀的掺杂因素和优异的光电特质。由此产生的基于 MISD 的器件达到了创记载的 23.4% 功率辗转效果 (PCE)，在扫数承袭蒸发 HTL 的 PSC 中达到了最高值。同期，未封装器件的恰当性也大大提升，在空气中职责 5200 小时，在光照下以最大功率点职责 3000 小时，仍能保捏 90% 以上的启动 PCE。联系著述以“Sequential Molecule-Doped Hole Conductor to Achieve >23% Perovskite Solar Cells with 3000-Hour Operational Stability”标题发表在Advanced Materials。
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https://doi.org/10.1002/adma.202303692
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图 1. A) 螺-OMeTAD、LiTFSI 和 tBP的化学结构。带有离子掺杂的溶液法螺-OMeTAD 的过错。B)承袭不同真空千里积时间制造 HTL 的流程，包括截至、SD 和 MISD。C) 愚弄 MISD 时间蒸发 HTL 的完好器件图像，以及截至、SD 和 MISD 薄膜中的掺杂机制暗示图。
图 2. 基于 A) 对照组、B) SD 和 C) MISD 的不同 HTL 的傅立叶变换红外图谱。D) 对照组、标清组和基于 MISD 的 HTL 的傅立叶变换红外光谱。E) 对照组、标清组和基于 MISD 的HTL 的紫外-可见给与光谱。F) 从 UPS 索取的不同蚀刻深度薄膜的 HOMO 值。G) 基于 SD 和 MISD HTL 的钙钛矿薄膜的 TOF-SIMS 深度弧线。H) 不同刻蚀深度的 SD 和基于 MISD 的 HTL 中 F 分散的相应 TOF-SIMS 层析图。
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图 3. 基于 A) 对照组、B) SD 和 C) MISD 的不同 HTL 的钙钛矿薄膜的 C-AFM 图像。D) 基于截至、SD 和 MISD 的 HTL 的名义电位弧线。E) 截至型和基于 MISD 的 HTL 的空穴迁徙率随温度变化的 ln(μ0) 与 T-2 透露体式。G)在 ITO 上涂覆 0-0.2 mmol mL-1FAI 溶液后的对照型、H) MISD 型和 I) SP 型 HTL 的电导率变化（插图：不同 FAI 浓度 HTL 的 I-V 弧线）。
图 4. 基于 A) SP 和 C) MISD 的老化HTL 的 SKPM 收尾。B) SP 和 D) MISD 薄膜的名义电位弧线。基于 E) 老化 SP 和 G) 老化 MISD 的 HTL 的 C-AFM 收尾。F) 老化的 SP 和 H) 老化的 MISD 薄膜的名义电导率弧线。银负极和 HTL 在 80% 相对湿度的环境条款下扬弃 1500 小时后的扫描电镜图像：I) 基于 SP 的器件中的银负极；J) 基于SP 的器件中的 HTL；K) 基于 MISD 的器件中的银负极；L) 基于MISD 的器件中的 HTL。M) SP 和 N) MISD 器件的银负极和 HTL 在 80 ℃ 热退火 2 小时后的扫描电镜图像。O) SP 和 P) MISD 柔性器件中的 HTL 在辗转 1000 次后的扫描电镜图像。
图 5. A) ITO/SnO2/perovskite/Spiro-OMeTAD/F4TCNQ /Au 器件结构。B) 承袭不同 HTL 的器件的光伏性能相比。C) 基于 FA0.9MA0.03Cs0.07PbBr0.24I2.76钙钛矿的不同 HTL 的优化器件的 J-V 特质。D) 基于 Rb0.05FA0.95PbI3钙钛矿的不同 HTL 的优化器件的 J-V 特质。E) 基于 Rb0.05FA0.95PbI3钙钛矿的不同 HTL 器件的光伏性能相比。F) 基于蒸发 HTL 的器件的代表性 PCE 统计数据。G) 基于柔性衬底的不同 HTL 的优化器件的 J-V 特质。(插图：基于不同HTL 的器件的 PCE 直方图以及基于柔性衬底的 MISD 器件相片）。H) 基于不同 HTL 的器件在空气条款下存储的平均 PCE 演变。
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图 6. A) 基于不同 HTL 的器件在光浸泡流程中 PCE 的变化。B) 基于 SP 和 MISD 的未封装器件在相对湿度≈80% 的环境条款下储存的遥远恰当性（注：PCE 代表光浸泡后的恰当效果）。C) 基于 SP、Control 和 MISD 的未封装器件在相对湿度≈30% 的干燥柜中储存的遥远恰当性（注：PCE 代表光浸泡后的恰当效果）。D) 基于 SP 和 MISD 的未封装器件在氮气环境中 LED 照明下的遥远运行恰当性。恰当性测试中使用的包光体因素基于 FA0.9MA0.03Cs0.07PbI2.76Br0.24。
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本盘问建设了一种便捷的 MISD 举止，用于热千里积基于 Spiro-OMeTAD 的 HTL。MISD 工艺能在搀和薄膜中取得高度均匀的掺杂，从而灵验提升薄膜的导电性、能级摆设和超卓的薄膜恰当性。因此，基于 MISD 的器件竣事了 23.4% 的创记载 PCE，这是现在已报说念的使用扫数蒸发 HTL 的 PSC 的最高 PCE。此外，MISD成心于撤消后氧化和光浸泡流程，从而大大提升了器件的恰当性和可靠性。咱们的盘问收尾为分子掺杂机制提供了新的见解，并为制造高效恰当的有机 HTL 提供了一种便捷的掺杂举止。（文：SSC）
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2020欧洲杯预选赛分组 赛程《 人民日报海外版 》（ 2023年07月25日 第 08 版）
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